廣東省人民政府辦公廳關于印發(fā)廣東省

加快半導體及集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展

若干意見的通知

粵府辦〔2020〕2號

各地級以上市人民政府，省政府各部門、各直屬機構：

　　《廣東省加快半導體及集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干意見》已經(jīng)省人民政府同意，現(xiàn)印發(fā)給你們，請認真貫徹執(zhí)行。實施過程中遇到的問題，請徑向省發(fā)展改革委反映。

廣東省人民政府辦公廳

2020年2月3日

廣東省加快半導體及集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的

若干意見

　　為貫徹落實《粵港澳大灣區(qū)發(fā)展規(guī)劃綱要》和國家關于集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的決策部署，加快我省半導體及集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，提升產(chǎn)業(yè)核心競爭力，結(jié)合我省實際，現(xiàn)提出以下意見。

　　一、總體要求

　　以習近平新時代中國特色社會主義思想為指導，全面貫徹落實黨的十九大和十九屆二中、三中、四中全會精神，深入貫徹習近平總書記對廣東重要講話和重要指示批示精神，充分發(fā)揮市場在資源配置中的決定性作用，更好發(fā)揮政府作用，抓住建設粵港澳大灣區(qū)國際科技創(chuàng)新中心的有利機遇，堅持市場主導、政府引導，需求牽引、協(xié)同創(chuàng)新，錯位發(fā)展、適度集聚，積極發(fā)展一批半導體及集成電路產(chǎn)業(yè)重大項目，補齊產(chǎn)業(yè)鏈短板，提升研發(fā)創(chuàng)新能力，擴大開放合作，優(yōu)化產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新生態(tài)環(huán)境和終端產(chǎn)品應用環(huán)境，增強產(chǎn)業(yè)整體競爭力，把珠三角地區(qū)建設成為具有國際影響力的半導體及集成電路產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)，為推動制造業(yè)高質(zhì)量發(fā)展提供有力支撐。

　　二、優(yōu)化發(fā)展設計業(yè)，提升產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢

　　（一）芯片設計重點發(fā)展方向。重點突破儲存芯片、處理器等高端通用芯片設計，大力支持射頻芯片、傳感器芯片、基帶芯片、交換芯片、光通信芯片、顯示驅(qū)動芯片、RISC-V（基于精簡指令集原則的開源指令集架構）芯片、物聯(lián)網(wǎng)智能硬件核心芯片、車規(guī)級AI（人工智能）芯片等專用芯片的開發(fā)設計。大力發(fā)展第三代半導體芯片，前瞻布局毫米波芯片、太赫茲芯片等。

　　（二）打造芯片設計高地。引導設計企業(yè)上規(guī)模上水平，提升設計產(chǎn)業(yè)集聚度，大力發(fā)展自主品牌產(chǎn)品，在珠三角地區(qū)建設具有全球競爭力的芯片設計和軟件開發(fā)集聚區(qū)。到2025年，形成一批銷售收入超10億元和3家以上銷售收入超100億元的設計企業(yè)，EDA（電子設計自動化）軟件實現(xiàn)國產(chǎn)化（部分領域達到國際先進水平），高端通用芯片設計能力明顯提升，芯片設計水平整體進入國際先進行列。

　　三、重點發(fā)展特色工藝制造，補齊產(chǎn)業(yè)短板

　　（三）制造業(yè)重點發(fā)展方向。重點推進模擬及數(shù)?；旌闲酒a(chǎn)制造，滿足未來射頻芯片、功率半導體和電源管理芯片、顯示驅(qū)動芯片等產(chǎn)品市場需求的快速增長。優(yōu)先發(fā)展特色工藝制程芯片制造，支持先進制程芯片制造，縮小與國際先進水平的差距。探索發(fā)展FDSOI等新技術路徑。大力發(fā)展MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）、IGBT（大功率絕緣柵雙極型晶體管）、高端傳感器、MEMS（微機電系統(tǒng)）、大功率LED器件、半導體激光器等產(chǎn)品。支持氮化鎵、碳化硅、砷化鎵、磷化銦等化合物半導體器件和模塊的研發(fā)制造。

　　（四）加快布局芯片制造項目。推動現(xiàn)有6英寸及以上晶圓生產(chǎn)線提升技術水平、對接市場應用。大力支持技術先進的IDM（集設計、制造、封裝、測試及銷售一體化的組織模式）企業(yè)和晶圓代工企業(yè)在珠三角布局研發(fā)中心、生產(chǎn)中心和運營中心，建設晶圓生產(chǎn)線。到2025年，建成較大規(guī)模特色工藝制程生產(chǎn)線，積極布局建設先進工藝制程生產(chǎn)線。

　　四、積極發(fā)展封測、設備及材料，完善產(chǎn)業(yè)鏈條

　　（五）封測重點發(fā)展方向。大力發(fā)展晶圓級封裝、系統(tǒng)級封裝、凸塊、倒裝、硅通孔、面板級扇出型封裝、三維封裝、真空封裝等先進封裝技術。加快IGBT模塊等功率器件封裝技術的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。大力引進先進封裝測試生產(chǎn)線和技術研發(fā)中心，支持現(xiàn)有封測企業(yè)開展兼并重組，緊貼市場需求加快封裝測試工藝技術升級和產(chǎn)能提升。

　　（六）設備重點發(fā)展方向。積極推進缺陷檢測設備、激光加工設備等整機設備，以及真空零部件、高精密陶瓷零部件、射頻電源、投影鏡頭等設備關鍵零部件的研發(fā)生產(chǎn)。大力引進國內(nèi)外沉積設備、刻蝕設備、等離子清洗機、薄膜制備設備等領域的龍頭企業(yè)。支持高等學校和科研機構開展設備和零部件技術研發(fā)，引導我省有基礎的企業(yè)積極布局設備及零部件制造項目。

　　（七）材料及關鍵電子元器件重點發(fā)展方向。大力發(fā)展氮化鎵、碳化硅、氧化鋅、氧化鎵、氮化鋁、金剛石等第三代半導體材料，積極發(fā)展電子級多晶硅及硅片制造，加快氟聚酰亞胺、光刻膠、高純度化學試劑、電子氣體、碳基、高密度封裝基板等材料研發(fā)生產(chǎn)。大力支持納米級陶瓷粉體、微波陶瓷粉體、功能性金屬粉體、賤金屬漿料等元器件關鍵材料的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。推動電子元器件企業(yè)與整機廠聯(lián)合開展核心技術攻關，提升我省高端片式電容器、電感器、電阻器等元器件產(chǎn)品市場占有率。

　　五、提升研發(fā)創(chuàng)新能力

　　（八）加強關鍵核心技術研發(fā)。省科技創(chuàng)新戰(zhàn)略專項資金每年投入不低于10億元用于支持集成電路領域技術創(chuàng)新。激勵半導體及集成電路企業(yè)加大研發(fā)投入，對于研發(fā)費用占銷售收入不低于5%的企業(yè)，在全面執(zhí)行國家研發(fā)費用稅前加計扣除75%政策的基礎上，鼓勵有條件的市對其增按不超過25%研發(fā)費用稅前加計扣除標準給予獎補，省科技創(chuàng)新戰(zhàn)略專項資金可在市獎補的基礎上按1∶1給予事后再獎勵。圍繞EDA工具、芯片架構、優(yōu)勢芯片產(chǎn)品、特色工藝制程、第三代半導體、生產(chǎn)設備核心部件、先進封裝技術、芯片評價分析技術等方向開展關鍵核心技術攻關，省科技創(chuàng)新戰(zhàn)略專項資金設立研發(fā)重大專項予以支持。對于風險較高、不確定因素較多的關鍵領域科技攻關，適當支持多種技術路線的探索，加強技術儲備。改革省科技創(chuàng)新戰(zhàn)略專項資金項目立項和組織實施方式，強化成果導向，試行項目招標懸賞制度，推動項目經(jīng)理人管理制度和“里程碑”考核機制。我省高等學校、科研機構以及集成電路設計企業(yè)開展擁有自主知識產(chǎn)權的28nm及以下或具備較大競爭優(yōu)勢的芯片流片，省促進經(jīng)濟高質(zhì)量發(fā)展專項資金對產(chǎn)品量產(chǎn)前首輪流片費用按不超過30%給予獎補，同一主體每年獎補的研發(fā)資金不超過1000萬元。

　　（九）建設產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新和公共服務平臺。加快發(fā)展芯片設計公共服務平臺，推動有條件的高等學校、科研機構和企業(yè)聯(lián)合建設晶圓中試生產(chǎn)線，提升EDA工具、SoC（系統(tǒng)級芯片）設計服務、MPW（多項目晶圓加工）、部件及終端產(chǎn)品模擬、測試驗證等服務功能。支持高等學校、科研機構和檢測驗證機構建設集成電路產(chǎn)品質(zhì)量測評、環(huán)境適應性評價、安全可靠性認證等方面的公共服務平臺。積極創(chuàng)造條件建設半導體及集成電路領域的國家級和省級創(chuàng)新平臺。省區(qū)域協(xié)調(diào)發(fā)展戰(zhàn)略專項資金對國家級、省級公共服務平臺和創(chuàng)新平臺建設按不超過其固定資產(chǎn)投資的30%給予支持，單個項目支持額度不超過2000萬元。到2025年，新組建15個以上半導體及集成電路領域的省級重點實驗室、工程實驗室等。建立和完善考核評價機制，對國家級和省級創(chuàng)新平臺、公共服務平臺給予持續(xù)支持。鼓勵企業(yè)、高等學校、科研機構等合作成立產(chǎn)學研技術創(chuàng)新聯(lián)盟或聯(lián)合建設（新型）研發(fā)機構。鼓勵機構和園區(qū)申報國家“芯火”雙創(chuàng)基地（平臺）、國家集成電路產(chǎn)學研融合協(xié)同育人平臺。

　　（十）強化知識產(chǎn)權保護和應用。爭取國家支持在我省設立面向半導體及集成電路產(chǎn)業(yè)的知識產(chǎn)權保護中心，建立專利預審、確權快速通道，探索協(xié)同預審模式，縮短發(fā)明專利授權周期。探索在重點國家和地區(qū)建設廣東省半導體及集成電路產(chǎn)業(yè)知識產(chǎn)權海外維權援助中心或援助服務點。對集成電路領域重復侵權、惡意侵權等嚴重侵犯知識產(chǎn)權行為，探索建立懲罰性賠償機制。積極開展半導體及集成電路領域的專利分析和導航，完善專利預警機制。對軟件和集成電路企業(yè)向境外企業(yè)購買技術使用權或所有權，所購技術符合國家《鼓勵進口技術和產(chǎn)品目錄》的，積極爭取國家進口貼息支持。支持軟件和集成電路企業(yè)加強發(fā)明專利、商標、軟件著作權、集成電路布局設計專有權等知識產(chǎn)權的保護和應用。支持開展集成電路領域知識產(chǎn)權運營。

　　六、強化人才隊伍支撐

　　（十一）建立健全人才培養(yǎng)體系。加強省內(nèi)高等學校微電子、信息科學、計算機科學、應用數(shù)學、化學工藝、材料科學與工程、自動化、人工智能等相關專業(yè)和學科建設。推動我省有條件的高等學校建設國家示范性微電子學院。從2020年開始，擴大微電子專業(yè)招生規(guī)模；積極向國家爭取增加高校微電子專業(yè)研究生招生計劃。省內(nèi)高等學校通信工程、計算機、信息安全等電子系統(tǒng)專業(yè)開設集成電路設計相關課程，支持微電子專業(yè)開設軟件工程相關課程，加大復合型人才培養(yǎng)力度。鼓勵國內(nèi)領先集成電路企業(yè)與高校合編部分專業(yè)教材，鼓勵企業(yè)人才走進高校教授部分選修專業(yè)課程。省基礎與應用基礎研究基金加大對集成電路領域博士和博士后的支持，安排一定比例的資金專項資助未獲得省部級以上科研項目資助的博士和博士后。鼓勵建設集成電路公共職業(yè)技能培訓平臺。支持企業(yè)與高等學校建立聯(lián)合培養(yǎng)機制，共建集成電路學生實踐教學基地；本科及以上學歷學生在基地實踐不少于3個月的，省教育發(fā)展專項資金按照每人500元/月標準對學生給予補貼。支持有條件的高校派出集成電路方向的教學科研人員出國（境）進修或培訓。推動高職院校加強集成電路相關專業(yè)建設，鼓勵企業(yè)聯(lián)合職業(yè)院校培養(yǎng)技術能手。

　　（十二）強化人才政策支持。組織開展集成電路產(chǎn)業(yè)人才開發(fā)路線圖研究。省相關高層次人才引進計劃將集成電路產(chǎn)業(yè)列入重點支持方向，加快從全球靶向引進高端領軍人才、創(chuàng)新團隊和管理團隊。省相關項目、人才評審專家?guī)煲⒓呻娐穼＜曳謳?，不斷擴充國內(nèi)外高水平專家。對于院士等人才簡化引進時的評審流程。鼓勵采用兼職、短期聘用、定期服務等方式，吸引知名集成電路人才來我省工作。省、市制定相關政策時，應兼顧高端領軍人才、中堅骨干力量、技術能手等多層次人才需求，適當放寬人才認定標準。鼓勵各市在戶籍、個稅獎勵（返還）、住房保障、醫(yī)療保障、子女就學、創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)等方面對集成電路人才給予優(yōu)先支持。充分發(fā)揮港澳青年創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)基地的平臺優(yōu)勢，支持舉辦集成電路相關賽事，發(fā)掘后備人才。

　　七、推動產(chǎn)業(yè)合作發(fā)展

　　（十三）促進產(chǎn)業(yè)鏈融合發(fā)展。促進產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)作配套，積極探索設計、制造等環(huán)節(jié)更緊密的合作模式。支持高校與芯片制造廠商合作，利用集成電路工藝平臺，進行相關集成電路IP核開發(fā)與驗證的教學培訓。支持終端應用龍頭企業(yè)通過數(shù)據(jù)共享、人才引進和培養(yǎng)、核心技術攻關、產(chǎn)品優(yōu)先應用等合作方式培育國內(nèi)高水平供應鏈，帶動原材料、核心電子元器件、設備、關鍵軟件等上下游配套企業(yè)協(xié)同發(fā)展。

　　（十四）加快自主關鍵技術和產(chǎn)品推廣應用。通過終端應用牽引芯片發(fā)展，聚焦5G、人工智能技術，面向通信、超高清視頻、汽車、衛(wèi)星應用、工業(yè)互聯(lián)、智能家居、智慧醫(yī)療、電子辦公設備等重大應用，組織開展“芯片-整機”交流對接活動。加強政策引導和產(chǎn)品宣傳，推動技術先進、自主安全可控的芯片、基礎軟件及整機系統(tǒng)在經(jīng)濟社會重點領域的應用。推動高校在教學實踐中使用國產(chǎn)教材教具。推動芯片企業(yè)在新產(chǎn)品開發(fā)中，應用國家核高基（核心電子器件、高端通用芯片及基礎軟件產(chǎn)品）等專項的成果。

　　（十五）持續(xù)深化與境外合作。加強與境外高等學校在人才培養(yǎng)、技術研發(fā)方面的合作，積極推動境外高校與我省企業(yè)聯(lián)合培養(yǎng)集成電路相關專業(yè)畢業(yè)生。積極開展與集成電路國家重點實驗室等境外高端創(chuàng)新平臺的研發(fā)合作，支持境外高端創(chuàng)新平臺在我省設分部。支持省內(nèi)高校與境外一流高校合作共建半導體及集成電路實驗室。支持企業(yè)委托或聯(lián)合境外高校、科研機構開展芯片相關技術攻關。充分發(fā)揮港澳對接全球的窗口作用和金融等高端服務業(yè)發(fā)達的優(yōu)勢，強化聯(lián)合招商引資力度，積極引進境外知名企業(yè)和研發(fā)機構建設高水平的研發(fā)機構、運營中心和生產(chǎn)基地等。我省企業(yè)收購境外半導體及集成電路企業(yè)（含研發(fā)中心）、投資設立海外研發(fā)基地，省促進經(jīng)濟發(fā)展專項資金對符合條件的給予大力支持。

　　（十六）搭建交流協(xié)作平臺。培育和發(fā)展集成電路行業(yè)協(xié)會等中介組織。鼓勵整機系統(tǒng)廠商、集成電路企業(yè)共建產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，建立產(chǎn)業(yè)鏈利益共同體，打造整機系統(tǒng)與集成電路產(chǎn)品共生的產(chǎn)業(yè)生態(tài)環(huán)境。相關協(xié)會或聯(lián)盟應及時將關鍵技術（產(chǎn)品）突破、重大項目建設、重點企業(yè)收購并購等行業(yè)重大資訊反饋政府部門。支持舉辦集成電路方面的競賽、行業(yè)會議等活動，推動人才匯聚、技術創(chuàng)新和交流推廣，營造集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的良好氛圍。

　　八、保障措施

　　（十七）加強組織領導。成立省半導體及集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展領導小組（以下簡稱領導小組），由省政府主要領導任組長、分管領導任副組長，成員包括有關地級以上市人民政府和省發(fā)展改革委、教育廳、科技廳、工業(yè)和信息化廳、財政廳、人力資源社會保障廳、自然資源廳、商務廳、市場監(jiān)管局、地方金融監(jiān)管局、稅務局、海關總署廣東分署等單位主要負責同志。領導小組負責統(tǒng)籌推進全省半導體及集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，整合各方資源，協(xié)調(diào)解決重大問題。領導小組辦公室設在省發(fā)展改革委，負責日常工作。領導小組下設半導體及集成電路重大項目推進工作專班，引入專業(yè)團隊，建立重大項目投資決策機制和快速落地聯(lián)動響應機制。成立由有關方面專家組成的廣東省半導體及集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會，對產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重大問題和政策措施開展調(diào)查研究，進行論證評估，提供咨詢建議。

　　（十八）加大財政支持力度。設立省半導體及集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金，鼓勵產(chǎn)業(yè)基金投向具有重要促進作用的制造、設計、封裝測試等項目。省區(qū)域協(xié)調(diào)發(fā)展戰(zhàn)略專項資金、促進經(jīng)濟高質(zhì)量發(fā)展專項資金、科技創(chuàng)新戰(zhàn)略專項資金、教育發(fā)展專項資金、引進人才專項資金、促進就業(yè)創(chuàng)業(yè)專項資金、促進經(jīng)濟發(fā)展專項資金等專項資金的安排要重點支持半導體及集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。對于半導體及集成電路領域的基礎研究和應用基礎研究、突破關鍵核心技術或解決“卡脖子”問題的重大研發(fā)項目，省級財政給予持續(xù)支持。鼓勵有條件的地市設立集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金，出臺產(chǎn)業(yè)扶持政策。

　　（十九）加大金融支持力度。積極爭取國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、政策性銀行對我省半導體及集成電路重大項目的資金支持。對由我省融資擔保機構擔保的、集成電路龍頭企業(yè)供應鏈上的中小微企業(yè)貸款融資和債券融資業(yè)務進行再擔保，當發(fā)生代償時，探索由政府和擔保公司按一定比例分攤風險。鼓勵各類金融機構加大對半導體及集成電路企業(yè)的信貸支持力度，優(yōu)先支持金融機構推出符合集成電路設計等輕資產(chǎn)企業(yè)融資需求的信貸創(chuàng)新產(chǎn)品，積極探索知識產(chǎn)權質(zhì)押和融資租賃。鼓勵各類創(chuàng)業(yè)投資和股權投資基金投資半導體及集成電路產(chǎn)業(yè)；各級政府可按其對半導體及集成電路項目投資金額，對基金管理人給予獎勵。優(yōu)先支持半導體及集成電路企業(yè)充分利用國內(nèi)多層次資本市場和國（境）外資本市場融資。

　　（二十）支持園區(qū)和重大項目建設。推動半導體及集成電路產(chǎn)業(yè)適度集聚發(fā)展，高標準建設一批產(chǎn)業(yè)基地和園區(qū)，省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金優(yōu)先投向基地和園區(qū)內(nèi)的項目。半導體及集成電路產(chǎn)業(yè)的重大項目優(yōu)先列入省重點建設項目計劃，對晶圓制造項目用地由省統(tǒng)籌安排。對投資額較大的制造、設計、EDA軟件、封測、裝備及零部件等領域項目以及產(chǎn)業(yè)帶動作用明顯的國家級公共服務平臺，可按照“一事一議”的方式予以支持。

　　附件：重點任務責任分工表